проекты союзного государства
Меню

    Программы Союзного государства

    16:49, 28 января

    Паспорт программы Союзного государства «Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе» (шифр Прамень»).

    Наименование Программы

    «Перспективные полупроводниковые гетероструктуры и приборы на их основе», (шифр Прамень»).

    Дата принятия решения о разработке Программы (наименование, номер и дата нормативного акта)

    Постановление Совета Министров Союзного государства от «22» апреля 2011 г. №.8

    Государственный заказчик-координатор

    Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России)

    Государственные заказчики

    Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России)

    Национальная академия наук Беларуси (НАН Беларуси)

    Головные исполнители

    От Российской Федерации - Открытое акционерное общество «Светлана» (ОАО «Светлана»), г. Санкт-Петербург

    От Республики Беларусь - Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси (Институт физики НАН), г. Минск

    Цели и задачи

    Цель Программы – создание конструкций и технологий производства перспективных полупроводниковых гетероструктур и на их основе конкурентоспособных изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений специального и двойного применения для решения широкого круга социально-экономических и оборонных задач государств-участников Союзного государства, в том числе импортозамещающих изделий, по своим количественным характеристикам и параметрам, отвечающих перспективным требованиям по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам и конкурентной продукции рынков государств-участников Союзного государства и мирового сообщества.

    Задачами Программы являются:

    1. Разработка конструктивно-технологических решений гетероструктур в системах материалов A3B5, A3N и А3N/A2Se для нескольких групп применений в областях микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений, которые должны обеспечивать стандартизацию конструкций по областям применения и промышленное производство гетероструктур на пластинах диаметром не менее 76 мм;

    2. Разработка технологий промышленного производства групп изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений на основе конструктивно-технологических решений гетероструктур и технологий их промышленного производств, которые должны соответствовать базовым технологиям Временного положения «Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Пластины с кристаллами заказанных элементов. Общие технические условия», ФГУ 22ЦНИИИ Минобороны России, 2009 г. и могут быть использованы в качестве технологий двойного применения;

    3. Разработка конструкций и отработка технологий промышленного производства изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники новых поколений с использованием разработанных в Программе гетероструктур и технологий их производства.

    Реализация задач Программы позволяет обеспечить разработку:

    1. технологии изготовления гетероструктур на полупроводниковых материалах группы А3В5 и СВЧ МИС с перспективными требованиям по частотам и длинам волн (в том числе Х-диапазона 8–12 ГГц, К - диапазона в 36 ГГц и W - диапазона в 93 ГГц, сроком службы до 20000 час. и удельным мощностям, соответствующим зарубежным аналогам и другим эксплуатационным характеристикам для создания на их основе новейших систем радиолокации с АФАР и радиовидения, имеющих двойное применение;

    2. технологии изготовления гетероструктур с двойным электронным ограничением на базе широкозонных полупроводников, позволяющих изготавливать СВЧ транзисторы частотного диапазона выше 10 ГГц, повышенной мощности (до 5 Вт) и высокой радиационной стойкости для создания на их основе систем глобальной космической связи, радиолокации и мобильных систем связи двойного применения.

    3. технологии изготовления мощных полупроводниковых лазеров (мощность до 15 Вт) и сверхмощных лазерных линеек и матриц (мощность до 5 кВТ) в ближней и средней ИК областях (с длиной волны генерации 808±3нм) и наработкой на отказ по числу импульсов 109 на структурах мышьяковых соединений для создания на их основе систем целеуказания, метрологии, строительства, мониторинга окружающей среды, медицинского назначения и спецприменений;

    4. принципиально нового лазерного излучателя в зелёной области спектра на основе конвертора соединений нитридов третьей группы и селенидов второй группы (А3N/A2Se) для создания на их основе перспективных оптических систем, в том числе с длиной волны генерации 500-550 нм.

    Указанные задачи определены на основании потребности в новых или усовершенствованных технологиях, комплектующих изделиях предприятий – изготовителей продукции для ВПК, транспорта, метеорологии, медицины, металлообработки и других, что обеспечивает достижимость цели Программы.

    Целевые индикаторы и показатели

    Количество разработанных образцов изделий - 35, в том числе:

    Количество разработанных образцов изделий, которые превосходят требования аналогичных мировых разработок по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам – 9;

    Количество разработанных образцов изделий, которые отвечают перспективным требованиям по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам – 12;

    Количество разработанных образцов изделий, которые отвечают требованиям по импортозамещению по частотам и длинам волн, удельным мощностям и другим эксплуатационным характеристикам – 22;

    Количество патентов и других объектов интелектуальной собственности (научно-техническая документация) – 14;

    Количество разработанных технологий - 16.

    Срок реализации

    2011-2015 гг.

    Объёмы и источники финансирования

    Общая потребность в финансовых ресурсах составит 2601,0 млн. российских рублей, в том числе:

    - за счет средств бюджета Союзного государства – 1734,0 млн. российских рублей, из них:

    - за счет долевых отчислений Российской Федерации в бюджет Союзного государства:– 1127,5 млн. российских рублей, за счет долевых отчислений Республики Беларусь в бюджет Союзного государства – 606,5 млн. российских рублей;

    - за счет внебюджетных источников - 867,0 млн. российских рублей, из них: в Российской Федерации – 563,75 млн. российских рублей;

    в Республике Беларусь – 303,25 млн. российских рублей. Бюджетные средства используются для проведения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ.

    Распределение бюджетных средств Союзного государства по годам:

    2011 г. – 134,44 млн. российских рублей, в том числе:

    Российская Федерация –87,34 млн. российских рублей, Республика Беларусь – 47,10 млн. российских рублей.

    2012 г. – 404,30 млн. российских рублей, в том числе:

    Российская Федерация –263,00 млн. российских рублей, Республика Беларусь – 141,30 млн. российских рублей.

    2013 г. – 454,3 млн. российских рублей, в том числе:

    Российская Федерация –295,50 млн. российских рублей, Республика Беларусь – 158,80 млн. российских рублей.

    2014 г. – 390,96 млн. российских рублей, в том числе:

    Российская Федерация – 254,16 млн. российских рублей, Республика Беларусь – 136,8 млн. российских рублей.

    2015 г. – 350,00 млн. российских рублей, в том числе:

    Российская Федерация – 227,50 млн. российских рублей, Республика Беларусь – 122,50 млн. российских рублей.

    Распределение внебюджетных средств по годам:

    2011 г. – 67,22 млн. российских рублей, в том числе:

    Российская Федерация –43,67 млн. российских рублей, Республика Беларусь – 23,55 млн. рублей.

    2012 г. – 202,15 млн. российских рублей, в том числе:

    Российская Федерация –131,5 млн. российских рублей, Республика Беларусь – 70,65 млн. российских рублей.

    2013 г. – 227,15 млн. российских рублей, в том числе:

    Российская Федерация –149,5 млн. российских рублей, Республика Беларусь – 77,65 млн. российских рублей.

    2014 г. – 195,48 млн. российских рублей, в том числе:

    Российская Федерация – 127,58 млн. российских рублей, Республика Беларусь – 67,9 млн. российских рублей.

    2015 г. – 175,00 млн. российских рублей, в том числе:

    Российская Федерация – 111,5 млн. российских рублей, Республика Беларусь – 63,5 млн. российских рублей.

    Ожидаемые конечные результаты реализации Программы

    Технологическое обеспечение, необходимое для создания промышленного производства гетероструктур, составляющих фундаментальную основу современных электронных и оптоэлектронных приборов, и, тем самым, ликвидация технологического отставания при разработке и производстве полупроводниковых гетероструктур.

    – Создание конструкций, технологий и основ промышленного производства широкой номенклатуры перспективных изделий микроэлектроники, оптоэлектроники и СВЧ-электроники в наиболее востребованных в настоящее время диапазонах сантиметровых и миллиметровых длин волн, в том числе:

    – СВЧ монолитные интегральные схемы миллиметрового диапазона длин волн для развития систем связи, радиолокационных станций и систем радиопротиводействия;

    – мощные СВЧ-транзисторы и СВЧ монолитные интегральные схемы для ППМ АФАР;

    – мощные непрерывные диодные лазеры и сверхмощные квазинепрерывные лазерные линейки и матриц;

    – лазерные источники накачки твердотельных лазеров и лазерных излучателей дальномеров;

    – мощные полупроводниковые импульсные лазеры ближнего ИК диапазона;

    – полупроводниковые лазеры и светодиоды на среднюю ИК-область спектра;

    – QWIP-матрицы для фотоприёмных модулей в среднем ИК-диапазоне;

    Создание компонентной базы лазерных излучателей для обеспечения производства лазерных и светодиодных систем инфракрасной подсветки приборов ночного видения; бортовых волоконно-оптических линий связи; беспроводной оптической связи; лазерные дальномеров целеуказателей; систем наведения высокоточного оружия, медицинских систем лазерной терапии двойного назначения и др.

    В целом выполнение Программы позволит создать необходимую компонентную базу – фундамент для совершенствования и развития нового поколения систем специального и двойного назначения.

    Повышение уровня научно-технической, экономической и технологической независимости Союзного государства в части разработки и применения изделий на основе гетероструктур в перспективных системах вооружений и техники гражданского назначения.

    Разработка и освоение производства 35 унифицированных изделий электронной и оптоэлектронной техники, в том числе, 16 стандартных технологических процесса, 3 комплекта Правил проектирования СВЧ изделий. Три из разрабатываемых продуктов превысят мировой уровень;

    Сохранение и создание 850-1100 новых рабочих мест в организациях высокотехнологичных отраслей промышленности;

    Уменьшение материало- и энергоемкости производства, снижение экологической нагрузки, улучшение условий труда;

    Формирование научных и технологических предпосылок для кардинального изменения структуры экспорта в пользу наукоемкой продукции с увеличением ее доли в 2019 году по отношению к 2010 году не менее чем в 23 раза за счет повышения потребительских свойств, конкурентоспособности выпускаемой продукции, закрепления традиционных и освоения новых сегментов мирового рынка;

    Обеспечение налоговых поступлений в бюджет от организаций-исполнителей и пользователей результатами Программы в размере до 9845,60 млн. рублей, что превысит размер инвестиций и создаст бюджетный эффект в размере более 3922,09 млн. рублей;

    Обеспечение индекса доходности (рентабельность) бюджетных ассигнований – 3,78, при коммерческом индексе доходности 1,30.

    Источник: Постоянный Комитет Союзного государства

    Программы Союзного государства

    Программа Союзного государства - это комплекс совместных мероприятий по укреплению безопасности, решению крупных социально-экономических задач государств-участников Договора о создании Союзного государства , включающий в себя проведение научно-исследовательских, опытно-конструкторских, технологических, производственных, организационно-хозяйственных и других работ, увязанных по исполнителям, ресурсам и срокам их осуществления.